扩散硅压力传感器和MEMS压力传感器是两种不同的技术，它们在制造工艺、性能特点和应用场合上有所区别：

制造工艺差异：

扩散硅压力传感器一般采用微机械加工技术，通过在硅片上进行化学蚀刻和扩散等工艺来制作传感器结构。

MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）压力传感器则利用更为先进的微机电系统技术，这种技术允许在非常小的尺度上集成电子和机械元件，通常采用光刻、薄膜沉积等半导体工艺。

尺寸和集成度：

扩散硅压力传感器尺寸相对较大，不易集成到其他微型系统中。

MEMS压力传感器因为采用半导体制造工艺，可以实现非常小的尺寸和高集成度，适合可穿戴设备和便携式仪器等空间受限的应用。

性能特点：

扩散硅压力传感器因其结构和材料特性，通常具有很好的温度稳定性和过载能力，适用于工业自动化、过程控制等领域。

MEMS压力传感器由于其高精度和低功耗的特点，常用于智能手机、汽车、医疗等对小型化和能效有较高要求的领域。

成本和可靠性：

扩散硅压力传感器的生产成本相对较高，但它提供良好的长期稳定性和可靠性。

MEMS压力传感器由于批量生产和集成电路工艺的优势，成本较低，但在极端环境下的稳定性可能不如扩散硅传感器。

应用场景：

扩散硅压力传感器多应用于要求高精度和稳定性的工业和汽车领域。

MEMS压力传感器因其小型化优势，广泛应用于消费电子产品以及需要紧凑设计的医疗设备中。

总的来说，扩散硅压力传感器在传统工业应用中较为常见，而MEMS压力传感器则更符合现代便携式和微型化设备的需求。选择哪种类型的传感器取决于具体的应用需求和成本效益分析。